英特尔与美国国防部深化合作采用18A工艺生产芯片

IT之家今日（4月23日）消息，美国芯片制造商英特尔与美国国防部进一步加深合作，共同研发全球最先进的芯片制造工艺，这项合作是双方在两年半前签署的“快速可靠微电子原型”（RAMP-C）项目的第一阶段基础上拓展而来的。

此次合作将使美国政府首次能够获得用于制造尖端芯片的领先技术。双方将合作生产采用英特尔未来 18A 制造工艺的芯片样品，18A 制造工艺通常用于高性能计算和图形处理领域，需要芯片具有强大的运算能力。

制造用于美国国家安全应用的 18A 芯片是英特尔与其 DIB（即国防工业基地）客户合作的一部分，其中包括像诺格公司和波音这样的国防承包商，以及微软、英伟达和 IBM 等商用领域巨头。

18A是英特尔下一代制程工艺，根据该公司此前公布的信息，其前一代20A制程预计将在2024年投入生产。英特尔去年年底公布了18A制程的关键细节，公司CEO帕特・基辛格 (Patrick Gelsinger) 表示18A制程的研发进度领先于预期。

英特尔在声明中表示，RAMP-C项目的第三阶段突显了其18A制程技术、知识产权和生态系统解决方案已经为量产做好了准备。基辛格还特别强调了英特尔18A芯片的优异功耗管理能力，认为其优于台积电的2纳米制程工艺。

从命名上看，英特尔18A制程相当于1.8纳米制程。在芯片制造领域，制程越小越好，因为更小的电路可以改善电导率和性能。现代芯片可以在极小的空间内塞下数十亿个晶体管，从而处理更多的数据。

美国国防部微电子工程负责人谢诺伊博士 (Dr. Dev Shenoy) 表示，五角大楼预计将在2025年完成使用英特尔18A制程芯片的原型生产。RAMP-C项目的第三阶段将专注于芯片设计的定型，这是设计流程的最后阶段，工程师将把设计概念转化为指导芯片制造机器的掩模版。

值得一提的是，英特尔本月初刚刚启动了世界上第一台最先进的芯片制造设备，名为高数值孔径极紫外 (high NA EUV) 光刻机。英特尔表示，这种设备可以简化设计流程，从而缩短芯片的制造时间。

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